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半导体存储器

本书为集成电路新兴领域“十四五”高等教育教材。本书介绍了半导体存储器的基础知识、工作原理及未来发展趋势。全书共8章，包括：绪论、易失性存储器、非易失性Flash存储器、相变存储器、磁随机存储器、铁电存储器、阻变存储器、其他新型存储器。本书可作为高等学校电子信息类、计算机类相关专业本科高年级学生和研究生“半导体存储器”课程的教材，也可作为从事半导体存储器科研和工程技术人员的参考书。

作者：

缪向水主编程晓敏副主编

定价：

42.00 元

出版时间：

2026-09-04

ISBN：

978-7-04-067080-6

物料号：

67080-00

读者对象：

高等教育

一级分类：

电气/电子信息/自动化类

二级分类：

电子信息/通信专业课

三级分类：

其他

重点项目：

战略性新兴领域-十四五高等教育教材

版面字数：

330.00千字

开本：

16开

装帧形式：

平装

页数：

268

最新
印次时间：

2026年08月

目录
- 前辅文
- 第1章绪论
  - 1.1 信息存储技术
  - 1.2 半导体存储器基本概念
    - 1.2.1 半导体存储器性能指标
    - 1.2.2 半导体存储器的特点
    - 1.2.3 半导体存储器分类
    - 1.2.4 半导体存储器芯片结构
    - 1.2.5 半导体存储器电路模块
  - 习题与思考题
  - 第1章参考文献
- 第2章易失性存储器
  - 2.1 静态随机存储器（SRAM）
    - 2.1.1 SRAM的单元结构
    - 2.1.2 SRAM的工作原理
  - 2.2 SRAM芯片电路结构
    - 2.2.1 信号放大电路
    - 2.2.2 译码电路
    - 2.2.3 输入输出电路
    - 2.2.4 SRAM读写操作
  - 2.3 动态随机存储器（DRAM）
    - 2.3.1 DRAM的单元结构
    - 2.3.2 DRAM的工作原理
  - 2.4 DRAM芯片电路结构
    - 2.4.1 感测放大器
    - 2.4.2 译码电路
    - 2.4.3 输入输出电路
    - 2.4.4 时序控制电路
    - 2.4.5 DRAM读写操作
  - 2.5 易失性存储器研究现状与发展趋势
    - 2.5.1 SRAM现状与发展趋势
    - 2.5.2 DRAM现状与发展趋势
  - 习题与思考题
  - 第2章参考文献
- 第3章非易失性Flash存储器
  - 3.1 非易失性存储器
    - 3.1.1 EPROM
    - 3.1.2 E2PROM
  - 3.2 Flash存储器基本原理
    - 3.2.1 Flash存储单元结构及工作原理
    - 3.2.2 Flash类型与可靠性
  - 3.3 Flash存储器架构
    - 3.3.1 NOR Flash架构
    - 3.3.2 NAND Flash架构
  - 3.4 2D Flash存储器模型
    - 3.4.1 电荷输运机制
    - 3.4.2 陷阱模型
    - 3.4.3 Flash器件操作与可靠性模型
  - 3.5 3D NAND Flash存储器
    - 3.5.1 3D NAND Flash拓扑结构
    - 3.5.2 3D NAND Flash关键工艺技术
    - 3.5.3 3D NAND Flash发展路线与现状
  - 3.6 Flash技术发展趋势
    - 3.6.1 新型NAND Flash存储单元
    - 3.6.2 3D NAND Flash发展方向
  - 习题与思考题
  - 第3章参考文献
- 第4章相变存储器
  - 4.1 相变存储器概述
    - 4.1.1 相变存储器的原理
    - 4.1.2 相变存储器的器件结构
    - 4.1.3 相变存储器的器件性能
    - 4.1.4 相变存储器的现状与发展
  - 4.2 相变存储材料
    - 4.2.1 相变存储材料的表征
    - 4.2.2 相变存储材料的优化
  - 4.3 三维相变存储器及选通管技术
    - 4.3.1 三维相变存储器的发展过程
    - 4.3.2 三维相变存储器的基本单元与选通管
    - 4.3.3 OTS选通管
  - 4.4 三维相变存储器的结构和操作
    - 4.4.1 3D PCM单元的基本构成
    - 4.4.2 3D PCM阵列的架构
    - 4.4.3 3D PCM的操作方案
  - 4.5 三维相变存储器的应用与挑战
  - 习题与思考题
  - 第4章参考文献
- 第5章磁随机存储器
  - 5.1 磁随机存储器概述
    - 5.1.1 历史背景
    - 5.1.2 磁随机存储器的工作原理及分类
  - 5.2 磁随机存储器的读操作原理
    - 5.2.1 各向异性磁电阻
    - 5.2.2 巨磁电阻
    - 5.2.3 隧穿磁电阻
  - 5.3 场致翻转磁随机存储器（Toggle-MRAM）
  - 5.4 自旋转移力矩-磁随机存储器（STT-MRAM）
    - 5.4.1 自旋转移力矩（STT）写入原理
    - 5.4.2 面内STT-MRAM
    - 5.4.3 面外STT-MRAM
  - 5.5 自旋轨道力矩磁随机存储器（SOT-MRAM）
    - 5.5.1 SOT-MRAM的基本原理
    - 5.5.2 SOT-MRAM的材料和器件结构
    - 5.5.3 SOT-MRAM的读写
  - 5.6 磁随机存储器研究现状与发展趋势
  - 习题与思考题
  - 第5章参考文献
- 第6章铁电存储器
  - 6.1 铁电性与自发极化
  - 6.2 铁电性的宏观与微观理论
  - 6.3 铁电存储器类型与原理
    - 6.3.1 电容型铁电存储器
    - 6.3.2 铁电隧道结
    - 6.3.3 铁电场效应晶体管
  - 6.4 常见铁电材料
    - 6.4.1 钙钛矿型铁电材料
    - 6.4.2 铋系层状类钛矿铁电材料
    - 6.4.3 铌酸锂型铁电材料
    - 6.4.4 钨青铜型铁电材料
    - 6.4.5 萤石类铁电材料
    - 6.4.6 纤锌矿类铁电材料
    - 6.4.7 面向存储器的铁电材料参数衡量标准
    - 6.4.8 铁电电容的可靠性
  - 6.5 铁电存储器的研究现状与未来展望
  - 习题与思考题
  - 第6章参考文献
- 第7章阻变存储器
  - 7.1 阻变存储器结构及电学特性
    - 7.1.1 阻变存储器结构
    - 7.1.2 阻变存储器电学特性
  - 7.2 阻变存储器的分类
    - 7.2.1 单极性阻变存储器
    - 7.2.2 双极性阻变存储器
  - 7.3 阻变存储器的阻变机制
    - 7.3.1 阳离子迁移机制
    - 7.3.2 阴离子迁移机制
    - 7.3.3 金属绝缘体转变机制
  - 7.4 阻变存储器的应用
    - 7.4.1 存储
    - 7.4.2 逻辑运算
    - 7.4.3 类脑计算
  - 7.5 阻变存储器的研究现状与发展趋势
  - 习题与思考题
  - 第7章参考文献
- 第8章其他新型存储器
  - 8.1 二维材料存储器
    - 8.1.1 二维材料
    - 8.1.2 二维材料存储器分类
    - 8.1.3 二维材料存储器的优势、不足与改进
  - 8.2 感存算一体存储技术
    - 8.2.1 感存算一体存储技术的研究现状
    - 8.2.2 感存算一体存储技术的应用现状
    - 8.2.3 感存算一体存储技术的展望
  - 习题与思考题
  - 第8章参考文献
- 附录1 主要参数符号表
- 附录2 中英文术语表

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