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半导体物理学(下册)(第二版)


作者:
叶良修 编著
定价:
84.00元
ISBN:
978-7-04-026625-2
版面字数:
740.000千字
开本:
16开
全书页数:
605页
装帧形式:
精装
重点项目:
暂无
出版时间:
2009-06-25
读者对象:
学术著作
一级分类:
自然科学
二级分类:
物理
三级分类:
凝聚态与材料物理

本书共十七章,分上下两册出版。上册主要涉及一些比较基本的内容,包括结构和结合性质,半导体中的电子状态,载流子的平衡统计,过剩载流子,接触现象,半导体表面和MIS结构,微结构和超晶格,半导体的光吸收,半导体的光发射等十章。下册则收入一些专题,包括载流子的散射,热现象,复杂能带输运,热载流子,强磁场下的输运和磁光现象,半导体中自旋相关的现象,非晶态半导体等七章。本书可供已学过固体物理的大学生、研究生以及有关方面的研究人员阅读、参考。

  • 前辅文
  • 符号表
  • 第11章 载流子的散射
    • §11.1 散射率
    • §11.2 屏蔽库仑势和电离杂质散射
    • §11.3 声学波形变势散射
    • §11.4 声学波压电散射
    • §11.5 光学波形变势散射和等价谷间散射
    • §11.6 极性光学波及其散射
    • §11.7 等离子体振荡和等离子体激元散射
    • §11.8 载流子之间的散射
    • §11.9 其它晶格缺陷的散射
    • §11.10 半导体中的各种散射机制
    • 第11章参考文献
  • 第12章 半导体中的热现象
    • §12.1 半导体的热导
    • §12.2 热电效应及其相互联系
    • §12.3 温差电动势率
    • §12.4 热磁效应
    • §12.5 声子曳引效应
    • 第12章参考文献
  • 第13章 复杂能带中的输运现象
    • §13.1 多谷带的电导、霍尔效应和磁阻
    • §13.2 半导体中的压阻效应
    • §13.3 声电效应
    • 附录13.1 Herring-Vogt变换
    • 第13章参考文献
  • 第14章 热载流子和相关现象
    • §14.1 热载流子和载流子温度模型
    • §14.2 能量弛豫机制和能量损失率
    • §14.3 蒙特卡罗模拟
    • §14.4 和谷间转移相关的热载流子输运现象
    • §14.5 雪崩击穿和碰撞电离
    • §14.6 热载流子的扩散
    • §14.7 激光产生的热载流子的弛豫
    • §14.8 研究载流子动态过程的超快光谱方法
    • §14.9 量子阱中热载流子的弛豫
    • §14.10 量子阱中热激子的动态过程
    • §14.11 量子点中电子空穴的弛豫
    • 附录14.1第二类修正贝塞尔函数
    • 第14章参考文献
  • 第15章 强磁场输运和磁光现象
    • §15.1 磁量子化和自旋分裂
    • §15.2 纵向振荡磁阻
    • §15.3 横向振荡磁阻
    • §15.4 量子霍尔效应
    • §15.5 回旋共振
    • §15.6 磁-声子效应和强微波辐照场下的零磁阻
    • §15.7 振荡磁吸收
    • §15.8 几种其它磁光效应
    • 第15章参考文献
  • 第16章 半导体中自旋相关的现象
    • §16.1 自旋及其在磁场中的行为
    • §16.2 自旋-轨道相互作用
    • §16.3 稀磁半导体及其铁磁性
    • §16.4 电子自旋的光取向及自旋相关的光学现象
    • §16.5 自旋霍尔效应和其它自旋相关的输运现象
    • §16.6 自旋极化的电注入和探测
    • §16.7 自旋极化的弛豫
    • §16.8 核自旋 超精细相互作用
    • §16.9 自旋和量子计算
    • §16.10 自旋共振和自旋-核双共振在半导体中的应用
    • 第16章参考文献
  • 第17章 非晶态半导体
    • §17.1 非晶态半导体的结构
    • §17.2 非晶态半导体中的电子状态
    • §17.3 非晶态半导体中的输运现象
    • §17.4 非晶态半导体的光吸收
    • §17.5 非晶态Si、Ge中的隙态和掺杂效应
    • §17.6 硫系非晶态半导体
    • 第17章参考文献
  • 索引
  • 《半导体物理学(上册)》的若干修改
  • 感谢

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