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半导体物理学(上册)(第二版)


作者:
叶良修
定价:
65.00元
ISBN:
978-7-04-022507-5
版面字数:
780.000千字
开本:
16开
全书页数:
647页
装帧形式:
精装
重点项目:
暂无
出版时间:
2007-10-12
读者对象:
学术著作
一级分类:
自然科学
二级分类:
物理
三级分类:
凝聚态与材料物理

本书共十六章,分上下两册出版。上册主要涉及一些比较基本的内容,包括结构和结合性质,半导体中的电子状态,载流子的平衡统计,过剩载流子,接触现象,半导体表面层和MIS结构,微结构和超晶格,半导体的光吸收,半导体的光发射等十章。下册则收入一些专题,包括载流子的散射,热现象,复杂能带输运,强电场下的热电子,强磁场和磁共振现象,非晶态半导体等六章。本书可供已学过固体物理的大学生、研究生以及有关方面的研究人员阅读、参考。

  • 前辅文
  • 重要符号表Ⅰ
  • 第1章 晶格结构和结合性质
    • §1.1 晶格的周期性
    • §1.2 常见半导体的晶格结构
    • §1.3 结合性质
    • §1.4 晶格缺陷
    • §1.5 半导体表面的再构
    • 第1章参考文献
  • 第2章 半导体中的电子状态
    • §2.1 晶体中的能带
    • §2.2 晶体中电子的运动 有效质量和有效质量近似
    • §2.3 导电电子和空穴
    • §2.4 常见半导体的能带结构
    • §2.5 杂质和缺陷能级
    • §2.6 局域态的晶格弛豫
    • §2.7 重掺杂半导体
    • §2.8 表面态
    • 第2章参考文献
  • 第3章 电子和空穴的统计平衡分布
    • §3.1 费米分布函数
    • §3.2 载流子浓度对费米能的依赖关系
    • §3.3 本征载流子浓度
    • §3.4 含单一能级杂质情形的统计
    • §3.5 补偿及多重能级情形的统计
    • §3.6 简并情形的统计
    • §3.7 化学势和费米能
    • §3.8 宽禁带半导体的掺杂问题和自补偿
    • 附录3.1 若干半导体的等效态密度(300K)
    • 第3章参考文献
  • 第4章 电荷输运现象
    • §4.1 电导和霍尔效应的分析
    • §4.2 载流子的散射
    • §4.3 电导统计理论
    • §4.4 霍尔效应的统计理论
    • §4.5 磁阻
    • §4.6 强电场下的载流子输运
    • §4.7 漂移速度过冲和近弹道输运
    • 附录4.1 微扰势引起的状态之间的跃迁
    • 附录4.2 玻尔兹曼积分-微分方程和弛豫时间的存在性
    • 附录4.3 电阻率和杂质浓度的对应关系
    • 第4章参考文献
  • 第5章 过剩载流子
    • §5.1 过剩载流子及其产生和复合
    • §5.2 过剩载流子的扩散
    • §5.3 过剩载流子的漂移和扩散
    • §5.4 双极扩散和双极漂移
    • §5.5 丹倍效应和光磁效应
    • §5.6 表面复合对寿命的影响
    • §5.7 复合机制和直接复合
    • §5.8 间接复合
    • §5.9 陷阱效应
    • §5.10 空间电荷的弛豫
    • 第5章参考文献
  • 第6章 接触现象
    • §6.1 同质和异质pn结势垒
    • §6.2 金属-半导体接触:肖特基势垒
    • §6.3 pn结电流:注入电流 势垒区产生复合电流
    • §6.4 肖特基势垒电流 尖峰发射
    • §6.5 势垒电容和扩散电容
    • §6.6 隧道穿透势垒——隧道电流
    • §6.7 光生伏特效应
    • §6.8 雪崩击穿和齐纳击穿
    • 第6章参考文献
  • 第7章 半导体表面层和MIS结构
    • §7.1 半导体表面电荷层
    • §7.2 MIS电容
    • §7.3 界面态及其电容效应
    • §7.4 场效应和表面电导
    • §7.5 表面复合
    • 附录7.1 半导体表面电荷层电荷、表面电场和电容作为VS函数的一般表示式
    • 第7章参考文献
  • 第8章 微结构和超晶格
    • §8.1 半导体中的尺寸量子化和低维电子气
    • §8.2 微结构和超晶格的生长和形成
    • §8.3 二维电子气的电荷输运
    • §8.4 微结构中垂直于界面的输运 共振隧穿
    • §8.5 一维系统的输运 介观输运
    • §8.6 有关量子点的输运现象
    • §8.7 半导体超晶格
    • §8.8 超晶格的输运
    • §8.9 Rashba效应和自旋晶体管
    • §8.10 碳纳米管
    • §8.11 异质结构的带阶
    • §8.12 晶格失配的异质结构
    • 第8章参考文献
  • 第9章 半导体的光吸收和光反射
    • §9.1 光的吸收和基本吸收边
    • §9.2 基本吸收与能带结构
    • §9.3 激子和激子吸收
    • §9.4 杂质吸收
    • §9.5 自由载流子吸收
    • §9.6 晶格吸收和反射
    • 第9章参考文献
  • 第10章 半导体中的发光现象
    • §10.1 自发发射和受激发射
    • §10.2 发光光谱
    • §10.3 微结构和超晶格的光谱现象
    • §10.4 发光二极管及相关问题
    • §10.5 半导体激光器
    • §10.6 单光子发射和量子点-微腔系统
    • 第10章参考文献
  • 索引
  • 重要的物理常量

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