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晶体生长初步：成核、晶体生长和外延基础（第二版）

样章
作者：
Ivan V Markov 著，牛刚、王志明 译
定价：
99.00元
ISBN：
978-7-04-050061-5
版面字数：
480.000千字
开本：
16开
全书页数：
暂无
装帧形式：
精装
重点项目：
暂无
出版时间：
2018-10-11
物料号：
50061-00
读者对象：
学术著作
一级分类：
自然科学
二级分类：
材料
三级分类：
晶体材料
暂无
  • 前辅文
  • 第一章 晶体-环境相平衡
    • 1.1 无限大相的平衡
    • 1.2 过饱和
    • 1.3 有限相的平衡
      • 1.3.1 拉普拉斯方程
      • 1.3.2 汤姆森-吉布斯方程
    • 1.4 晶体平衡形状
      • 1.4.1 吉布斯-居里-武尔夫定理
        • 1.4.1.1 三维媒质中的晶体
        • 1.4.1.2 表面上的晶体
      • 1.4.2 表面能的极坐标图
      • 1.4.3 赫灵公式
      • 1.4.4 晶体表面的稳定性
    • 1.5 晶体生长的原子论观点
      • 1.5.1 无限大晶体与环境相的平衡——半晶体位置的概念
      • 1.5.2 平衡有限晶体-环境相——平均分离功的概念
      • 1.5.3 平衡二维晶体-环境相
      • 1.5.4 晶体的平衡形状——原子论方法
      • 1.5.5 二维晶体在异质衬底上的平衡蒸气压
    • 1.6 晶体表面的平衡结构
      • 1.6.1 晶体表面的分类
      • 1.6.2 一个台阶的平衡结构
      • 1.6.3 F面的平衡结构
        • 1.6.3.1 Jackson模型
        • 1.6.3.2 Temkin模型
        • 1.6.3.3 Fisher和Weeks标准
      • 1.6.4 动力学粗糙
  • 第二章 成核
    • 2.1 热力学
      • 2.1.1 核的同质形成
      • 2.1.2 三维核的异质形成
      • 2.1.3 弹性应变的三维核的异质形成
      • 2.1.4 二维核的形成
      • 2.1.5 在异质衬底上成核的模式
    • 2.2 成核率
      • 2.2.1 一般表述
      • 2.2.2 平衡态
      • 2.2.3 稳态成核率
      • 2.2.4 液体从气相的成核
      • 2.2.5 统计贡献
      • 2.2.6 从溶液和熔融物的成核
      • 2.2.7 异质成核率
      • 2.2.8 二维成核速率
        • 2.2.8.1 从气体开始的二维成核率
        • 2.2.8.2 从溶液开始的二维成核率
        • 2.2.8.3 熔融物中的二维成核率
      • 2.2.9 成核的原子理论
        • 2.2.9.1 平衡态
        • 2.2.9.2 稳态成核率
      • 2.2.10 非稳态成核
      • 2.2.11 大量结晶及饱和核密度
      • 2.2.12 Ostwald的台阶法则
  • 第三章 晶体生长
    • 3.1 粗糙晶体面的垂直生长
    • 3.2 平坦表面的层状生长
      • 3.2.1 台阶推进速率
        • 3.2.1.1 从气相的生长
        • 3.2.1.2 从溶液的生长
        • 3.2.1.3 从熔融物的生长
      • 3.2.2 F面的螺旋生长
        • 3.2.2.1 生长螺旋的形状
        • 3.2.2.2 从气相的生长
        • 3.2.2.3 溶液中的生长
        • 3.2.2.4 从熔融物的生长
      • 3.2.3 从二维成核中的生长
        • 3.2.3.1 成核和台阶推进的恒定速率
        • 3.2.3.2 依赖于时间的成核率及台阶推进速率
      • 3.2.4 表面各向异性的影响——Si(001)邻位面的生长
        • 3.2.4.1 二聚体结构
        • 3.2.4.2 台阶的结构和能量
        • 3.2.4.3 邻位Si(100)表面的基态
        • 3.2.4.4 表面扩散系数的各向异性
        • 3.2.4.5 一维成核理论
        • 3.2.4.6 通过一维成核的台阶推进速率
        • 3.2.4.7 通过台阶流动的Si(001)邻位面的生长
      • 3.2.5 Ehrlich-Schwoebel 势垒和它的后果
        • 3.2.5.1 Ehrlich-Schwoebel对于台阶流动的作用
        • 3.2.5.2 对于二维成核的Ehrlich Schwoebel作用
    • 3.3 晶体生长的动力学理论
    • 3.4 晶体生长中的一个经典实验
  • 第四章 外延生长
    • 4.1 基本概念和定义
    • 4.2 外延界面的结构和能量
      • 4.2.1 边界区域
      • 4.2.2 外延界面的模型
      • 4.2.3 失配位错
      • 4.2.4 薄覆盖层的Frank-van der Merwe模型
        • 4.2.4.1 原子间电势
        • 4.2.4.2 界面相互作用
        • 4.2.4.3 外延界面的一维模型
        • 4.2.4.4 Frank和van der Merwe的二维模型
        • 4.2.4.5 二维和一维模型的比较
        • 4.2.4.6 对于增厚的覆盖层应用一维模型
      • 4.2.5 拥有非胡克原子间力的一维模型
      • 4.2.6 厚的附生的van de Merwe模型
      • 4.2.7 增厚附生层
      • 4.2.8 Volterra方法
    • 4.3 生长外延薄膜的机制
      • 4.3.1 生长模式的分类
      • 4.3.2 实验证据
        • 4.3.2.1 金属在绝缘体上
        • 4.3.2.2 金属在金属上
        • 4.3.2.3 金属在半导体上
        • 4.3.2.4 半导体在半导体上
      • 4.3.3 一般趋势
      • 4.3.4 外延的热力学
        • 4.3.4.1 润湿和团簇
        • 4.3.4.2 对于失配晶体的杜普雷关系
        • 4.3.4.3 化学势随厚度的变化
        • 4.3.4.4 生长模式的热力学判据
      • 4.3.5 外延薄膜生长的动力学
        • 4.3.5.1 二维-三维转换机制
        • 4.3.5.2 二维-三维转变的动力学
        • 4.3.5.3 二维-三维转变的临界温度
        • 4.3.5.4 交叉影线图案
      • 4.3.6 外延生长中的表面活性剂
        • 4.3.6.1 热力学探讨
        • 4.3.6.2 动力学
  • 参考文献
  • 索引
  • 译者后记

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