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异质结双极晶体管——射频微波建模和参数提取方法

样章
作者：
高建军
定价：
49.00元
ISBN：
978-7-04-037221-2
版面字数：
310.000千字
开本：
16开
全书页数：
260页
装帧形式：
平装
重点项目：
暂无
出版时间：
2013-09-13
读者对象：
高等教育
一级分类：
电气/电子信息/自动化类
二级分类：
电子信息/通信专业课
三级分类：
微波/天线

本书是高职高专学生学习“计算机文化基础”课程及参加计算机一级考试的配套上机实训教程，是根据高职高专人才培养的指导思想，以教育部考试中心和浙江省新颁布的计算机一级考试大纲为依据，结合多年“计算机文化基础”课程教学和上机实践指导经验组织编写的。

本书配套有“计算机基础测评”软件。该软件含有丰富的题库并能自动判分，便于读者进行模拟练习，提高考试通过率。

本书将各知识点与操作技能恰当地融入各个任务中，是高校学生学习巩固“计算机文化基础”课程知识、参加计算机等级考试以及熟练掌握计算机操作技能的一本较好的指导书。

  • 前辅文
  • 第1章 绪论
    • 1.1 微波射频半导体器件
    • 1.2 异质结双极晶体管
    • 1.3 半导体器件射频微波建模和测试
    • 1.4 本书的目标和结构
    • 参考文献
  • 第2章 半导体器件建模技术基础
    • 2.1 基本网络参数
      • 2.1.1 阻抗参数
      • 2.1.2 导纳参数
      • 2.1.3 混合参数
      • 2.1.4 传输参数
      • 2.1.5 散射参数
      • 2.1.6 网络参数之间的关系
    • 2.2 二口网络的噪声特性
      • 2.2.1 噪声系数和噪声参数
      • 2.2.2 阻抗噪声相关矩阵
      • 2.2.3 导纳噪声相关矩阵
      • 2.2.4 级联噪声相关矩阵
      • 2.2.5 噪声相关矩阵之间的关系
    • 2.3 二口网络的互联
      • 2.3.1 二口网络的串联
      • 2.3.2 二口网络的并联
      • 2.3.3 二口网络的级联
    • 2.4 基本电路元件
      • 2.4.1 电阻
      • 2.4.2 电容
      • 2.4.3 电感
      • 2.4.4 受控源
      • 2.4.5 理想传输线
    • 2.5 T型网络和PI型网络
      • 2.5.1 T型网络
      • 2.5.2 PI型网络
      • 2.5.3 T型网络和PI型网络之间的转化关系
    • 2.6 寄生元件削去技术
      • 2.6.1 削去并联元件
      • 2.6.2 削去串联元件
      • 2.6.3 削去级联元件
    • 2.7 参数提取技术基础
      • 2.7.1 电容提取技术
      • 2.7.2 电感提取技术
      • 2.7.3 电阻提取技术
    • 参考文献
  • 第3章 双极晶体管建模基础
    • 3.1 PN结二极管
      • 3.1.1 PN结二极管工作原理
      • 3.1.2 二极管等效电路模型
      • 3.1.3 二极管参数提取技术
    • 3.2 双极晶体管工作原理
      • 3.2.1 工作机理
      • 3.2.2 工作模式
      • 3.2.3 基区宽度调制效应
      • 3.2.4 大电流注入效应
    • 3.3 双极晶体管等效电路模型
      • 3.3.1 EbersMoll 模型
      • 3.3.2 GummelPool 模型
      • 3.3.3 噪声模型
    • 3.4 微波射频特性
      • 3.4.1 工作频率
      • 3.4.2 共发射极结构
      • 3.4.3 共基极结构
      • 3.4.4 共集电极结构
      • 3.4.5 三种结构特性比较
    • 参考文献
  • 第4章 HBT基本工作原理
    • 4.1 半导体异质结
    • 4.2 常用的HBT器件
      • 4.2.1 GaAs基HBT
      • 4.2.2 InP基HBT
    • 参考文献
  • 第5章 异质结晶体管小信号建模和参数提取技术
    • 5.1 小信号等效电路模型
      • 5.1.1 焊盘
      • 5.1.2 T型等效电路模型
      • 5.1.3 PI型等效电路模型
      • 5.1.4 T型和PI型之间的关系
      • 5.1.5 Mason单向功率增益
      • 5.1.6 特征频率和最大振荡频率
    • 5.2 器件结构
    • 5.3 PAD 电容提取技术
    • 5.4 寄生电感提取技术
      • 5.4.1 测试结构方法
      • 5.4.2 集电极开路方法
    • 5.5 寄生电阻提取技术
      • 5.5.1 Z参数方法
      • 5.5.2 截止状态方法
      • 5.5.3 集电极开路方法
    • 5.6 本征元件提取技术
      • 5.6.1 直接提取技术
      • 5.6.2 混合提取技术
    • 5.7 半分析技术
    • 参考文献
  • 第6章 异质结晶体管非线性建模和参数提取技术
    • 6.1 线性和非线性
      • 6.1.1 线性和非线性的定义
      • 6.1.2 线性元件和非线性元件
    • 6.2 大信号模型和小信号模型
    • 6.3 半导体器件的热阻
      • 6.3.1 热阻的定义
      • 6.3.2 等效电路模型
      • 6.3.3 热阻的确定方法
    • 6.4 常用的HBT模型
      • 6.4.1 VBIC 模型
      • 6.4.2 Agilent 模型
      • 6.4.3 经验基宏模型
      • 6.4.4 本征元件随偏置变化曲线
    • 参考文献
  • 第7章 异质结晶体管噪声等效电路模型及参数提取技术
    • 7.1 异质结晶体管噪声等效电路模型
    • 7.2 噪声参数的计算公式
    • 7.3 噪声参数提取技术
      • 7.3.1 基于调谐器原理的噪声参数提取技术
      • 7.3.2 基于50Ω噪声测试系统的噪声参数提取技术
    • 7.4 共基极、共集电极和共发射极结构
      • 7.4.1 信号参数之间的关系
      • 7.4.2 噪声参数之间的关系
      • 7.4.3 理论验证和实验结果
    • 7.5 噪声系数测量技术
      • 7.5.1 噪声源
      • 7.5.2 Y因子方法
      • 7.5.3 校准技术
    • 参考文献
  • 第8章 SiGe HBT建模和参数提取技术
    • 8.1 引言
    • 8.2 小信号等效电路模型
    • 8.3 大信号等效电路模型
      • 8.3.1 HICUM等效电路模型
      • 8.3.2 MEXTRAM等效电路模型
    • 参考文献
  • 第9章 射频微波在片自动测试系统
    • 9.1 矢量网络分析仪
    • 9.2 40 GHz S参数在片自动测试系统
    • 9.3 基于IC CAP的在片测试过程
    • 参考文献

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