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固态表面、界面与薄膜（第六版）

样章
作者：
Hans Lüth 著，王聪、孙莹、王蕾 译
定价：
128.00元
ISBN：
978-7-04-047854-9
版面字数：
720.000千字
开本：
16开
全书页数：
暂无
装帧形式：
精装
重点项目：
暂无
出版时间：
2019-03-27
读者对象：
学术著作
一级分类：
自然科学
二级分类：
材料
三级分类：
通用
暂无
  • 前辅文
  • 第1 章 表面､界面物理:定义及其重要性
    • 附录Ⅰ 超高真空(UHV)技术
    • 附录Ⅱ 粒子光学和光谱学的基础
    • 问题
  • 第2 章 严格定义的表面､界面及薄膜的制备
    • 2.1 需要超高真空的原因
    • 2.2 UHV 条件下的材料界面解理
    • 2.3 离子轰击与退火
    • 2.4 蒸发与分子束外延(MBE)
    • 2.5 利用化学反应外延生长膜
    • 附录Ⅲ 俄歇电子能谱(AES)
    • 附录Ⅳ 二次离子质谱(SIMS)
    • 问题
  • 第3 章 表面､界面和薄膜的形貌与结构
    • 3.1 表面应力､表面能和宏观形状
    • 3.2 弛豫､重构和缺陷
    • 3.3 二维点阵､超结构和倒易空间
      • 3.3.1 表面点阵和超结构
      • 3.3.2 二维倒易点阵列
    • 3.4 固-固界面结构模型
    • 3.5 薄膜的形核和生长
      • 3.5.1 薄膜生长的模型
      • 3.5.2 形核的“毛细模型”
    • 3.6 薄膜生长研究:实验方法和结果
    • 附录V 扫描电子显微镜(SEM)和微探针技术
    • 附录Ⅵ 扫描隧道显微镜(STM)
    • 附录Ⅶ 表面扩展X 射线吸收精细结构(SEXAFS)
    • 问题
  • 第4 章 表面和薄膜散射
    • 4.1 表面散射运动学理论
    • 4.2 低能电子衍射的运动学理论
    • 4.3 从LEED 图中能知道什么
    • 4.4 动力学LEED 理论和结构分析
      • 4.4.1 匹配公式化
      • 4.4.2 多重散射理论体系
      • 4.4.3 结构分析
    • 4.5 非弹性表面散射实验的运动学理论
    • 4.6 非弹性电子散射的电介质理论
      • 4.6.1 固体散射
      • 4.6.2 表面散射
    • 4.7 薄表面层的介电散射
    • 4.8 一些低能电子在表面非弹性散射的实验例子
    • 4.9 颗粒散射的经典限制条件
    • 4.10 原子碰撞的守恒定律:表面化学分析
    • 4.11 卢瑟福背散射(RBS):通道和阻塞
    • 附录Ⅷ 低能电子衍射(LEED)和反射高能电子衍射(RHEED)
    • 附录Ⅸ X 射线衍射(XRD)对薄膜特性的描述
    • 附录Ⅹ 电子能量损失谱(EELS)
    • 问题
  • 第5 章 表面声子
    • 5.1 线性链上的“表面”晶格振动的存在
    • 5.2 扩展到具有表面的三维固体
    • 5.3 瑞利波
    • 5.4 作为高频过滤器的瑞利波的应用
    • 5.5 表面-声子(等离子体激元)极化子
    • 5.6 实验和实际计算的散射曲线
    • 附录Ⅺ 原子和分子束散射
    • 问题
  • 第6 章 表面电子态
    • 6.1 近自由电子模型中半无限链的表面电子态
    • 6.2 三维晶体表面态及其带电特征
      • 6.2.1 本征表面态
      • 6.2.2 非本征表面态
    • 6.3 光电发射理论
      • 6.3.1 概述
      • 6.3.2 角积分的光电发射
      • 6.3.3 体与表面态发射
      • 6.3.4 初始态的对称性和选择定则
      • 6.3.5 多体方面
    • 6.4 一些金属表面态能带结构
      • 6.4.1 类s 和类p 表面态
      • 6.4.2 类d 表面态
      • 6.4.3 空表面态和像势表面态
    • 6.5 半导体的表面态
      • 6.5.1 元素半导体
      • 6.5.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
      • 6.5.3 Ⅲ族氮化物
      • 6.5.4 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
    • 6.6 表面态自旋轨道耦合
      • 6.6.1 在二维电子气中的自旋轨道耦合
      • 6.6.2 Au 和半金属表面自旋分裂表面态
      • 6.6.3 拓扑绝缘体表面态
    • 附录Ⅻ 光电发射和逆光电发射
    • 问题
  • 第7 章 半导体界面的空间电荷层
    • 7.1 空间电荷层的定义与分类
    • 7.2 肖特基耗尽空间电荷层
    • 7.3 弱空间电荷层
    • 7.4 高度简并半导体的空间电荷层
    • 7.5 空间电荷层与费米能级钉扎的一般情况
    • 7.6 量子化聚集与反型层
    • 7.7 特殊界面及其表面势
    • 7.8 硅MOS 场效应晶体管
    • 7.9 磁场导致的量子效应
    • 7.10 二维等离子体激元
    • 附录ⅩⅢ 光学表面技术
    • 问题
  • 第8 章 金属-半导体结和半导体异质结
    • 8.1 决定固-固界面电子结构的一般原理
    • 8.2 金属-半导体界面的金属诱导间隙态
    • 8.3 在半导体异质结界面的VIGS
    • 8.4 界面态的结构与化学性质依赖的模型
    • 8.5 金属-半导体结与半导体异质结构的应用
      • 8.5.1 肖特基势垒
      • 8.5.2 半导体异质结和调制掺杂
      • 8.5.3 高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)
    • 8.6 在半导体界面二维电子气的量子效应
    • 附录ⅩⅣ 肖特基势垒高度与能带迁移的电子学测量
    • 问题
  • 第9 章 界面处的集体现象:超导电性和铁磁性
    • 9.1 在界面的超导电性
      • 9.1.1 基本表述
      • 9.1.2 超导电性的基础
      • 9.1.3 Andreev 反射
      • 9.1.4 贯穿正常导体-超导体界面输运现象的简单模型
    • 9.2 具有弹道传输行为的约瑟夫森结
      • 9.2.1 约瑟夫森效应
      • 9.2.2 约瑟夫森电流和Andreev 能级
      • 9.2.3 亚简谐能隙结构
    • 9.3 超导体-半导体2DEG-超导约瑟夫森结的实验例证
      • 9.3.1 Nb-2DEG-Nb 结的制备
      • 9.3.2 通过Nb-2DEG-Nb 结的临界电流
      • 9.3.3 电流载荷区
      • 9.3.4 非平衡载流子的超流控制
    • 9.4 表面与薄膜内的铁磁性
      • 9.4.1 铁磁性的能带模型
      • 9.4.2 降维体系的铁磁理论
    • 9.5 磁量子阱态
    • 9.6 磁性层间耦合
    • 9.7 巨磁阻和自旋转矩机制
      • 9.7.1 巨磁阻(GMR)
      • 9.7.2 磁各向异性和磁畴
      • 9.7.3 自旋转矩效应:磁开关器件
    • 附录ⅩⅤ 磁光特性:克尔效应
    • 附录ⅩⅥ 自旋极化扫描隧道显微镜(SP-STM)
    • 问题
  • 第10 章 固体表面的吸附现象
    • 10.1 物理吸附
    • 10.2 化学吸附
    • 10.3 吸附物导致功函数变化
    • 10.4 吸附层的二维相转变
    • 10.5 吸附动力学
    • 附录ⅩⅦ 解吸附技术
    • 附录ⅩⅧ 用于功函数变化与半导体界面研究的开尔文探针和光电发射测量
    • 问题
  • 参考文献
    • 第1 章
    • 第2 章
    • 第3 章
    • 第4 章
    • 第5 章
    • 第6 章
    • 第7 章
    • 第8 章
    • 第9 章
    • 第10 章
  • 中英文名词对照表
  • 彩图

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