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电子线路 线性部分 （第六版）

“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材
样章
作者：
冯军 谢嘉奎
定价：
52.00元
ISBN：
978-7-04-057491-3
版面字数：
570.000千字
开本：
16开
全书页数：
暂无
装帧形式：
平装
重点项目：
“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材
出版时间：
2022-05-11
读者对象：
高等教育
一级分类：
电气/电子信息/自动化类
二级分类：
电子电气类核心课程
三级分类：
电子线路基础（低频电子线路）

顺应时代发展，本版修订为新形态教材。本书第四版是面向21世纪课程教材，并被列为普通高等教育“九五”国家教委重点教材；第五版是“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材，曾立项普通高等教育“十一五”国家级规划教材。全书由二极管、晶体三极管、场效应管、放大器基础、放大器中的负反馈、集成运算放大器及其应用电路共6章组成。本书在第五版基础上增加了场效应管的EKV MOS晶体管模型、采用基本原理的增益计算法，将附录的PSpice电路分析改为Multisim电路分析，为便于读者理解，增加了例题、应用实例，并在关键知识点附近添加了相应的微视频。

本书是高等学校电子信息类专业“线性电子线路”“低频电子线路”等课程的教材，也可供从事电子技术工作的工程技术人员参考。

  • 前辅文
  • 第1章 二极管
    • 1.1 半导体物理基础知识
      • 1.1.1 本征半导体
      • 1.1.2 杂质半导体
      • 1.1.3 两种导电机理——漂移和扩散
      • 1.1.4 小结
    • 1.2 PN结
      • 1.2.1 动态平衡下的PN结
      • 1.2.2 PN结的伏安特性
      • 1.2.3 PN结的击穿特性
      • 1.2.4 PN结的温度特性
      • 1.2.5 PN结的电容特性
      • 1.2.6 PN结的开关特性
      • 1.2.7 小结
    • 1.3 二极管电路的分析方法
      • 1.3.1 二极管模型
      • 1.3.2 二极管电路分析方法
    • 1.4 二极管的应用
      • 1.4.1 整流与稳压电路
      • 1.4.2 限幅和钳位电路
      • 1.4.3 二极管与门、或门
    • *1.5 其他二极管
      • 1.5.1 肖特基表面势垒二极管
      • 1.5.2 光电转换类二极管
    • 习题
    • 附录 Multisim电路分析
  • 第2章 晶体三极管
    • 2.1 晶体三极管的工作原理
      • 2.1.1 内部载流子的传输过程
      • 2.1.2 电流传输方程
    • 2.2 晶体三极管模型
      • 2.2.1 埃伯斯-莫尔模型
      • 2.2.2 晶体三极管的共射等效电路模型
      • 2.2.3 晶体三极管的伏安特性曲线
      • 2.2.4 晶体三极管的频率参数
    • 2.3 晶体三极管电路的分析方法
      • 2.3.1 图解分析法
      • 2.3.2 等效电路分析法
    • 2.4 晶体三极管的应用原理
      • 2.4.1 电流源
      • 2.4.2 放大器
      • 2.4.3 跨导线性电路
      • 2.4.4 TTL电路
    • 2.5 集成工艺
      • 2.5.1 集成工艺的标准流程
      • 2.5.2 集成元器件
      • 2.5.3 集成元器件的特点
      • 2.5.4 SiGeHBT工艺
    • 习题
    • 附录 Multisim电路分析
  • 第3章 场效应管
    • 3.1 MOS场效应管
      • 3.1.1 EMOS场效应管的结构
      • 3.1.2 EMOS场效应管的工作原理
      • 3.1.3 EMOS场效应管的特性
      • 3.1.4 耗尽型MOS（DMOS）场效应管
      • 3.1.5 场效应管等效电路
      • 3.1.6 EKV MOS晶体管模型
      • 3.1.7 BSIM3模型
      • 3.1.8 场效应管器件小结
    • 3.2 结型场效应管
      • 3.2.1 工作原理
      • 3.2.2 伏安特性曲线
    • 3.3 场效应管和双极型管的比较
    • 3.4 场效应管的应用原理
      • 3.4.1 有源电阻
      • 3.4.2 MOS开关
      • 3.4.3 逻辑门电路
    • 3.5 集成工艺
      • 3.5.1 标准CMOS工艺
      • 3.5.2 BiCMOS工艺
    • 习题
    • 附录 Multisim电路分析
  • 第4章 放大器基础
    • 4.1 放大器的基本概念
      • 4.1.1 放大的原理和实质
      • 4.1.2 放大器的性能指标
    • 4.2 基本放大器
      • 4.2.1 共源、共栅和共漏放大器的性能
      • 4.2.2 共射、共基和共集放大器的性能
      • 4.2.3 集成MOS放大器
      • 4.2.4 组合放大器
      • 4.2.5 电压放大器增益的等效算法
    • 4.3 差分放大器
      • 4.3.1 电路结构
      • 4.3.2 性能特点
      • 4.3.3 电路两边不对称对性能的影响
      • 4.3.4 差模传输特性
    • 4.4 电流源电路及其应用
      • 4.4.1 镜像电流源电路
      • 4.4.2 其他改进型电流源电路
      • 4.4.3 电流源的应用
    • 4.5 多级放大器
      • 4.5.1 多级放大器的基本问题
      • 4.5.2 多级放大器的性能指标计算
      • 4.5.3 一个实际的多级放大器
    • 4.6 放大器的频率响应
      • 4.6.1 复频域分析方法
      • 4.6.2 共源、共射放大器的频率特性
      • 4.6.3 其他组态放大器的频率响应
      • 4.6.4 宽带放大器
    • *4.7 放大器的噪声
      • 4.7.1 起伏噪声的来源
      • 4.7.2 放大器噪声分析
    • 习题
    • 附录 Multisim电路分析
  • 第5章 放大器中的负反馈
    • 5.1 反馈放大器的基本概念
      • 5.1.1 反馈放大器的组成
      • 5.1.2 四种类型负反馈放大器
      • 5.1.3 反馈放大器的判别
    • 5.2 负反馈对放大器性能的影响
      • 5.2.1 输入电阻
      • 5.2.2 增益及其稳定性
      • 5.2.3 输出电阻
      • 5.2.4 失真和噪声
    • 5.3 负反馈放大器的性能分析
      • 5.3.1 负反馈放大器的分析方法
      • 5.3.2 负反馈放大器分析举例
      • 5.3.3 深度负反馈
    • 5.4 负反馈放大器的稳定性
      • 5.4.1 判别稳定性的准则
      • 5.4.2 集成运放的相位补偿技术
    • 5.5 负反馈放大器的应用
      • 5.5.1 光纤通信用前置放大器
      • 5.5.2 利用负反馈构成宽带放大器
      • 5.5.3 利用电流负反馈构成高输出阻抗放大器
    • 习题
    • 附录 Multisim电路分析
  • 第6章 集成运算放大器及其应用电路
    • 6.1 集成运算放大器
      • 6.1.1 集成运放概述
      • 6.1.2 MOS运放核心电路
    • 6.2 集成运放应用电路的组成原理
      • 6.2.1 集成运放的理想化条件
      • 6.2.2 集成运放应用电路的分类
      • 6.2.3 集成运放的基本应用电路
    • 6.3 集成运放应用电路
      • 6.3.1 闭环应用
      • 6.3.2 开环应用
      • 6.3.3 混合应用
      • 6.3.4 应用举例
    • 6.4 集成运放的性能参数及其对应用电路的影响
      • 6.4.1 集成运放性能参数及宏模型
      • 6.4.2 直流和低频参数对性能的影响
      • 6.4.3 高频参数对性能的影响
    • *6.5 高精度和高速宽带集成运放
      • 6.5.1 高精度集成运放
      • 6.5.2 高速宽带集成运放
    • 习题
    • 附录 Multisim电路分析
  • 主要参考书目

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